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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCW61C-T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | BCW61C-T |
1999 Apr 12
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCW61 series
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 32 V
20
nA
IE = 0; VCB = 32 V; Tamb = 150 °C
20
μA
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 4 V
20
nA
hFE
DC current gain
IC = 10 μA; VCE = 5 V
BCW61B
30
BCW61C
40
BCW61D
100
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 5 V
BCW61B
180
310
BCW61C
250
460
BCW61D
380
630
DC current gain
IC = 50 mA; VCE = 1 V
BCW61B
80
BCW61C
100
BCW61D
110
VCEsat
collector-emitter saturation voltage IC = 10 mA; IB = 0.25 mA
60
250
mV
IC = 50 mA; IB = 1.25 mA
120
550
mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.25 mA
600
850
mV
IC = 50 mA; IB = 1.25 mA
0.68
1.05 V
VBE
base-emitter voltage
IC = 2 mA; VCE = 5 V
600
650
750
mV
IC = 10 μA; VCE = 5 V
550
mV
IC = 50 mA; VCE = 1 V
720
mV
Cc
collector capacitance
IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz
4.5
pF
Ce
emitter capacitance
IC = ic = 0; VEB = 0.5 V; f = 1 MHz
11
pF
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 5 V;
f = 100 MHz; note 1
100
MHz
F
noise figure
IC = 200 μA; VCE = 5 V; RS = 2 kΩ;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
2
6
dB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW61CTRL13 | 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW61DS62Z | 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW70/T4 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW70-T | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCX17T/R | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW61CT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
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| BCW61CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW61D | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 100mA hfe500 SOT23 |
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