參數(shù)資料
型號(hào)： BCW61C-T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 120K
代理商： BCW61C-T
1999 Apr 12
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCW61 series
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A1
max.
bp
cD
E
e1
HE
Lp
Qw
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
97-02-28
99-09-13
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
TO-236AB
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w M
v M A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
12
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW61CTRL13 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61DS62Z 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW70/T4 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW70-T 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX17T/R 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW61CT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BCW61CT116 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61D 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor PNP AF 32V 100mA hfe500 SOT23
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