參數(shù)資料
型號： BD538
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： Complemetary硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 44K
代理商： BD538
BD533/5/7
BD534/6/8
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
s
BD534, BD535, BD536, BD537 AND BD538
ARE SGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPES
DESCRIPTION
The BD533, BD535, and BD537 are silicon
epitaxial-base NPN power transistors in Jedec
TO-220 plastic package, intented for use in
medium power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BD534,
BD536, and BD538 respectively.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Val ue
Uni t
NPN
BD533
BD535
BD537
PNP
BD534
BD536
BD538
VCBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
456080
V
VCES
Collector-Emit ter Voltage (VBE = 0)
456080
V
VCEO
Collector-Emit ter Voltage (IB = 0)
456080
V
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC =0)
5
V
IC,IE
Collector and Emit ter Current
8
A
IB
Base Current
1
A
Ptot
Tot al Dissipation at Tc
≤ 25 oC50
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. O perat ing Junction Temperature
150
oC
For PNP types voltage and current values are negative.
1
2
3
TO-220
1/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BD538K 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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