參數(shù)資料
型號： BD538
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： Complemetary硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： BD538
THERMAL DATA
Rthj-ca se
Rthj- amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
2.5
70
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase =25
oC unless otherwise specified)
Symb ol
Parameter
Test Cond ition s
Mi n.
Typ .
Max.
Un it
ICBO
Collect or Cut-off
Current (IE =0)
for BD533/534
VCB =45 V
for BD535/536
VCB =60 V
for BD537/538
VCB =80 V
100
A
ICES
Collect or Cut-off
Current (VBE =0)
for BD533/534
VCE =45 V
for BD535/536
VCE =60 V
for BD537/538
VCE = 80 V
100
A
IEBO
Emitt er Cut-off Current
(IC =0)
VEB =5 V
1
mA
VCEO(sus )
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB =0)
IC =100 mA
for BD533/534
for BD535/ 536
for BD537/ 538
45
60
80
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturat ion Voltage
IC =2 A
IB =0.2 A
IC =6 A
IB = 0.6 A
0.8
V
VBE
Base-Emitt er Voltage
IC =2 A
VCE =2 V
1.5
V
hFE
DC Current G ain
IC =10 mA
VCE =5 V
for BD533/ 534
for BD535/ 536
for BD537/ 538
IC =500 mA
VCE =2 V
IC =2 A
VCE =2 V
for BD533/ 534
for BD535/ 536
for BD537/ 538
20
15
40
25
15
fT
Transit ion f requency
IC =500 mA
VCE =1 V
3
12
MHz
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
Safe Operating Areas
BD533/BD534/BD535/BD536/BD537/BD538
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BD9781HFP-TR 4 A SWITCHING REGULATOR, 500 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PSSO7
BDE0300G ANALOG TEMP SENSOR-VOLTAGE, 1.716-1.79V, 3.5Cel, RECTANGULAR, SURFACE MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BD538K 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD538KTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD539 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD539A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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