參數(shù)資料
型號： BF909
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF909<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BF909<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： BF909
NXP
Semiconductors
Product specification
N-channel dual gate MOS-FETs
BF909; BF909R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
tot
drain-source voltage
drain current
gate 1 current
gate 2 current
total power dissipation
BF909
BF909R
storage temperature
operating junction temperature
7
40
±
10
±
10
V
mA
mA
mA
see Fig.3
up to T
amb
= 50
°
C; note 1
up to T
amb
= 40
°
C; note 1
65
200
200
+150
150
mW
mW
°
C
°
C
T
stg
T
j
Fig.3 Power derating curves.
handbook, halfpage
(mW)
0
50
100
200
0
200
MLB935
150
150
100
50
Tamb
o
BF909R
BF909
Rev. 02 - 19 November 2007
3 of 12
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PDF描述
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF909,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909,235 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
BF909/WR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
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