參數(shù)資料
型號： BF909
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF909<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BF909<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 320K
代理商： BF909
NXP
Semiconductors
Product specification
N-channel dual gate MOS-FETs
BF909; BF909R
Fig.16 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
°
C.
10
3
MLB948
10
2
10
1
10
2
10
1
10
10
2
yfs
(mS)
yfs
f (MHz)
fs
fs
(deg)
Fig.17 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
10
3
MLB949
10
2
10
10
1
1
10
2
yos
(mS)
f (MHz)
bos
gos
Fig.18 Cross-modulation test set-up.
DUT
VAGC
C1
4.7 nF
R1
10 k
C5
2.2
pF
MLD151
C4
4.7 nF
VDS
L1
350 nH
≈
C3
12 pF
RL
50
50
50
R3
10
VGG
RGEN
VI
R2
4.7 nF
C2
RG1
Rev. 02 - 19 November 2007
8 of 12
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PDF描述
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
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BF991 N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF909,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909,235 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
BF909/WR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
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