參數(shù)資料
型號(hào)： BF909
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF909<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BF909<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 320K
代理商： BF909
NXP
Semiconductors
Product specification
N-channel dual gate MOS-FETs
BF909; BF909R
Fig.4
Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction; typical
values; see Fig.18.
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V; f
w
= 50 MHz.
f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
°
C; R
G1
= 120 k
.
handbook, halfpage
0
100
90
80
10
50
MLB936
20
30
40
Vunw
(dB
μ
V)
gain reduction (dB)
Fig.5 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
20
10
0
0.4
2.0
MLB937
0.8
1.2
1.6
VG1 S
ID
(mA)
VG2 S
2.5 V
2 V
1.5 V
1 V
Fig.6 Output characteristics; typical values.
V
DS
= 5 V.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
20
10
0
2
10
MLB938
4
6
8
ID
(mA)
VDS
1.3 V
1.2 V
1.1 V
1.0 V
0.9 V
VG1 S
Fig.7
Gate 1 current as a function of gate 1
voltage; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
IG1
(
μ
A)
0
1
2
3
150
50
0
100
MLB939
VG1 S
3 V
2.5 V
2 V
3.5 V
VG2 S
Rev. 02 - 19 November 2007
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF909 N-channel dual-gate MOSFET
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
BF991 N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF909,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
BF909/WR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
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