參數(shù)資料
型號(hào)： BF909
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF909<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BF909<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁(yè)數(shù)： 12/12頁(yè)
文件大?。?/td> 320K
代理商： BF909
NXP Semiconductors
BF909; BF909R
N-channel dual gate MOS-FETs
NXP B.V. 2007.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 19 November 2007
Document identifier: BF909_N_2
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Revision history
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Document ID
BF909_N_2
Modifications:
BF909_1
Release date
20071119
Fig.1 and 2 on page 2; Figure note changed
19950425
Product specification
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BF909_1
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
BF909R N-channel dual-gate MOSFET
BF991 N-channel dual-gate MOSFET
BF991 N-channel dual-gate MOSFET
BF992 N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF909 T/R 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF909/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
BF909/WR 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
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