參數(shù)資料
型號(hào)： BFG135
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類(lèi)： 晶體管
英文描述： NPN 7 GHz wideband transistor
封裝： BFG135<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/16頁(yè)
文件大小： 316K
代理商： BFG135
1995 Sep 13
3
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 7GHz wideband transistor
BFG135
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
C unless otherwise specified.
Notes
1.
d
im
=
60 dB (DIN 45004B); I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V; R
L
= 75
; T
amb
= 25
C;
V
p
= V
o
at d
im
=
60 dB; f
p
= 445.25 MHz;
V
q
= V
o
6 dB; f
q
= 453.25 MHz;
V
r
= V
o
6 dB; f
r
= 455.25 MHz;
measured at f
(p+q
r)
= 443.25 MHz.
d
im
=
60 dB (DIN 45004B); I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V; R
L
= 75
; T
amb
= 25
C;
V
p
= V
o
at d
im
=
60 dB; f
p
= 795.25 MHz;
V
q
= V
o
6 dB; f
q
= 803.25 MHz;
V
r
= V
o
6 dB; f
r
= 805.25 MHz;
measured at f
(p+q
r)
= 793.25 MHz.
2.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
THERMAL
RESISTANCE
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering
point
up to T
s
= 145
C (note 1)
30 K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
80
TYP.
130
2
7
1.2
7
MAX.
UNIT
A
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
collector cut-off current
DC current gain
collector capacitance
emitter capacitance
feedback capacitance
transition frequency
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
C
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V;
f = 500 MHz; T
amb
= 25
C
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V;
f = 800 MHz; T
amb
= 25
C
note 1
note 2
I
C
= 90 mA; V
CE
= 10 V;
V
O
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q)
= 450 MHz;
f
p
= 50 MHz; f
q
= 400 MHz
I
C
= 90 mA; V
CE
= 10 V;
V
O
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q)
= 810 MHz;
f
p
= 250 MHz; f
q
= 560 MHz
1
pF
pF
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral power
gain
16
dB
12
dB
V
o
output voltage
900
850
58
mV
mV
dB
d
2
second order intermodulation
distortion
53
dB
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