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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG135 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 7 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG135<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 4/16頁 |
| 文件大小： | 316K |
| 代理商： | BFG135 |
1995 Sep 13
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 7GHz wideband transistor
BFG135
Fig.2 Intermodulation distortion and second order intermodulation distortion test circuit.
handbook, full pagewidth
MBB284
DUT
VBB
C3
R1
L1
C1
C2
L2
input
75
R2
L6
R3
R4
L3
C4
C7
C5
C6
L5
output
75
VCC
L4
Ω
Ω
List of components (see test circuit)
Note
1.
Components C4, L3, L6 and R2 are mounted on the underside of the PCB.
The circuit is constructed on a double copper-clad printed circuit board with PTFE dielectric (
r
= 2.2); thickness
1
16
inch; thickness of copper sheet
1
32
inch.
DESIGNATION
DESCRIPTION
VALUE
UNIT
DIMENSIONS
CATALOGUE NO.
C1, C3, C5, C6
C2, C7
C4 (note 1)
L1
multilayer ceramic capacitor
multilayer ceramic capacitor
miniature ceramic plate capacitor
microstripline
10
1
10
75
nF
pF
nF
2222 590 08627
2222 851 12108
2222 629 08103
length 7 mm;
width 2.5 mm
length 22mm;
width 2.5 mm
int. dia. 3 mm;
winding pitch 1 mm
length 19 mm;
width 2.5 mm
L2
microstripline
75
L3 (note 1)
1.5 turns 0.4 mm copper wire
L4
microstripline
75
L5
L6 (note 1)
R1
R2 (note 1)
R3, R4
Ferroxcube choke
0.4 mm copper wire
metal film resistor
metal film resistor
metal film resistor
5
25
10
200
27
H
nH
k
3122 108 20153
length 30 mm
2322 180 73103
2322 180 73201
2322 180 73279
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG135 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG135 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFG198 | NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFG198 | NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFG198 | NPN 8 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG135 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| BFG135,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 150MA 15V 7GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG135,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFG135 Series 15 V 1 W 7 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-223-3 |
| BFG135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-223 |
| BFG135/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
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