參數(shù)資料
型號(hào)： BFG135
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 7 GHz wideband transistor
封裝： BFG135<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大小： 316K
代理商： BFG135
1995 Sep 13
7
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 7GHz wideband transistor
BFG135
Fig.8
Intermodulation distortion as a function of
collector current.
V
CE
= 10 V; V
o
= 900 mV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q
r)
= 443.25 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
20
120
70
65
MBB292
60
55
50
40
60
80
100
IC
im
Fig.9
Intermodulation distortion as a function of
collector current.
V
CE
= 10 V; V
o
= 850 mV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q
r)
= 793.25 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
20
120
70
65
MBB293
60
55
50
40
60
80
100
IC
im
Fig.10 Second order intermodulation distortion as
a function of collector current.
V
CE
= 10 V; V
o
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q)
= 450 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
20
120
70
65
MBB291
60
55
50
40
60
80
100
IC
Fig.11 Second order intermodulation distortion as
a function of collector current.
V
CE
= 10 V; V
o
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C
f
(p+q)
= 810 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
20
120
70
65
MBB290
60
55
50
40
60
80
100
IC
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