參數(shù)資料
型號： BFG198
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG198<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 10/14頁
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代理商： BFG198
1995 Sep 12
10
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198
Fig.15 Common emitter reverse transmission coefficient (S
12
).
I
C
= 50 mA; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C.
handbook, full pagewidth
180
MBB495
o
0o
30o
60o
90o
120o
150o
150o
120o
90o
60o
30o
2 GHz
0.16
0.08
0.2
0.12
0.04
40 MHz
Fig.16 Common emitter output reflection coefficient (S
22
).
I
C
= 50 mA; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C; Z
o
= 50
.
handbook, full pagewidth
MBB493
10
25
50
100
250
10
25
50
100
250
0
+ j
– j
2 GHz
∞
10
25
50
100
250
40 MHz
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BFG198,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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