參數(shù)資料
型號： BFG198
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG198<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 7/14頁
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代理商： BFG198
1995 Sep 12
7
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198
Fig.8
Maximum gain as a function of frequency.
I
C
= 50 mA; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
C;
handbook, halfpage
GUM
(dB)
0
20
30
10
MBB753
10
2
10
3
10
4
10
f (MHz)
Fig.9
Intermodulation distortion as a function of
collector current.
V
CE
= 8 V; V
o
= 750 mV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q
r)
= 443.25 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
20
120
70
65
MBB498
60
55
50
40
60
80
100
IC
Fig.10 Intermodulation distortion as a function of
collector current.
V
CE
= 8 V; V
o
= 700 mV; T
amb
= 25
C;
f
(p+q)
= 793.25 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
20
120
70
65
MBB266
60
55
50
40
60
80
100
IC
Fig.11 Second order intermodulation distortion as
a function of collector current.
V
CE
= 8 V; V
o
= 50 dBmV; T
amb
= 25
C
f
(p+q)
= 450 MHz.
handbook, halfpage
(dB)
20
120
60
55
MBB497
50
45
40
40
60
80
100
IC
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