參數(shù)資料
型號： BFG410
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 22 GHz wideband transistor
中文描述： npn型22 GHz的寬帶晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 104K
代理商： BFG410
1998 Mar 11
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the emitter pins.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
10
4.5
1
12
54
+150
150
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
s
≤
110
°
C; note 1; see Fig.2
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
Ptot
(mW)
40
20
0
40
80
160
120
Ts (
°
C)
MGD960
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
750
K/W
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PDF描述
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