參數(shù)資料
型號(hào)： BFG410
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 22 GHz wideband transistor
中文描述： npn型22 GHz的寬帶晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
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代理商： BFG410
1998 Mar 11
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
(1) V
CE
= 3 V.
(2) V
CE
= 2 V.
(3) V
CE
= 1 V.
handbook, halfpage
hFE
0
4
12
16
8
MGG717
100
0
40
80
60
20
IC (mA)
(1)
(2)
(3)
I
C
= 0; f = 1 MHz.
Fig.4
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
handbook, halfpage
(fF)
0
1
5
60
20
0
40
80
2
3
4
MGG718
VCB (V)
Fig.5
Transition frequency as a function of
collector current; typical values.
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(GHz)
0
5
10
15
20
MGG719
1
10
10
2
IC (mA)
V
CE
= 2 V; f = 900 MHz.
Fig.6
Maximum stable gain as a function of
collector current; typical values.
handbook, halfpage
0
4
8
16
12
MGG720
0
10
20
IC (mA)
MSG
(dB)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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