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參數(shù)資料
| 型號： | BU2507 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Silicon Diffused Power Transistor |
| 中文描述： | 擴散硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | BU2507 |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2507AF
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 1 V
Fig.5. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 5 V
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
IC / A
hFE
VCE = 1 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
BU2507AF/X
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2507AF/X
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
IC / A
hFE
VCE = 5 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
Lc
Cfb
T.U.T.
LB
IBend
-VBB
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
Ths = 25 C
Ths = 85 C
BU2507AF/X
IC / A
VCEsat / V
IC/IB = 3
IC/IB = 4
IC/IB = 5
September 1997
3
Rev 1.100
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