參數(shù)資料
型號： BU2507DF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 54K
代理商： BU2507DF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BU2507DF
Fig.1. Switching times waveforms.
Fig.2. Switching times definitions.
Fig.3. Switching times test circuit
Fig.4. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 1 V
Fig.5. High and low DC current gain. h
FE
= f (I
C
)
V
CE
= 5 V
Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage.
V
CE
sat = f (I
C
); parameter I
C
/I
B
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us
20us
t
t
t
TRANSISTOR
DIODE
BU2507DF/X
0.01
0.1
1
10
1
10
100
IC / A
hFE
Ths = 25 C
Ths = 85 C
VCE = 1 V
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- IBM
BU2507DF/X
0.01
0.1
1
10
1
10
100
IC / A
hFE
VCE = 5 V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
+ 150 v nominal
adjust for ICsat
1mH
12nF
D.U.T.
LB
IBend
-VBB
Rbe
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
IC / A
VCESAT / V
Ths = 25 C
Ths = 85 C
IC/IB = 3
IC/IB = 4
IC/IB = 5
BU2507DF/X
September 1997
3
Rev 1.200
相關PDF資料
PDF描述
BU2507DX Silicon Diffused Power Transistor
BU2507 Silicon Diffused Power Transistor
BU2507AF Silicon Diffused Power Transistor
BU2508AF Silicon Diffused Power Transistor
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參數(shù)描述
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