參數(shù)資料
型號(hào)： BUK7605-30A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 15000uF; Voltage: 50V; Case Size: 35x45 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： BUK7605-30A
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7605-30A
Fig.7. Typical on-state resistance, T
= 25 C
R
DS(ON)
= f(V
GS
); conditions I
D
= 25 A;
Fig.8. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.9. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.10. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
Fig.11. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.12. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
5
10
15
20
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5RDS(ON)/mOhm
VGS/V
0
0
100
200
0.5
1
1.5
2
30V TrenchMOS
Tj / C
a
150
50
-50
0
1
2
3
4
5
6
7
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK759-60
0
-50
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
gfs/S
ID/A
0
1
2
3
4
5
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
typ
2%
98%
August 1999
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7606-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 18000uF; Voltage: 50V; Case Size: 35x50 mm; Packaging: Bulk
BUK7624-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7628-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7675-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7720-55A CAPACITOR, 22000UF 25V CAPACITOR, 22000UF 25V; CAPACITANCE:22000UF; VOLTAGE RATING, DC:25V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ALUMINIUM ELECTROLYTIC; SERIES:LLS; TEMP, OP. MAX:85(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-40(DEGREE C); TOLERANCE, :20%; RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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