參數(shù)資料
型號： BUK7675-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 19.7 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： BUK7675-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7675-55
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 20 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 17 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
1
2
3
4
5
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
typ
2%
98%
0
0.5
1
1.5
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
0.01
0.1
1
10
100
0
.1
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1
T
VDS/V
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
April 1998
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7720-55A CAPACITOR, 22000UF 25V CAPACITOR, 22000UF 25V; CAPACITANCE:22000UF; VOLTAGE RATING, DC:25V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ALUMINIUM ELECTROLYTIC; SERIES:LLS; TEMP, OP. MAX:85(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-40(DEGREE C); TOLERANCE, :20%; RoHS Compliant: Yes
BUK78150-55 CAP,2.2uF,50VDC,10-% Tol,10+% Tol
BUK7830-30 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7840-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK9214-75B TrenchMOS logic level FET
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參數(shù)描述
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