參數(shù)資料
型號： BUK7830-30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： 12.8 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BUK7830-30
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK7830-30
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel
standard level field-effect power
transistor
in
a
suitable for surface mounting. Using
’
trench
’
technology,
featuresverylow on-state resistance
and has integral zener diodes giving
ESD protection up to 2kV. It is
intended for use in automotive and
general
purpose
applications.
enhancement
mode
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
plastic envelope
V
DS
I
D
Drain-source voltage
Drain current (DC) T
sp
= 25 C
Drain current (DC) T
amb
= 25 C
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
30
12.8
5.9
8.3
150
30
V
A
A
W
C
m
the
device
P
tot
T
j
R
DS(ON)
V
GS
= 10 V
switching
PINNING - SOT223
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
4
drain (tab)
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
sp
= 25 C
T
amb
= 25 C
T
sp
T
amb
= 100 C
T
sp
T
amb
= 25 C
T
sp
T
amb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
30
30
16
12.8
5.9
9
4.1
51.2
23.6
8.3
1.8
150
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
C
I
D
Drain current (DC)
I
DM
Drain current (pulse peak value)
P
tot
Total power dissipation
T
stg
, T
j
Storage & operating temperature
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-sp
PARAMETER
Thermal resistance junction to
solder point
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
Mounted on any PCB
TYP.
12
MAX.
15
UNIT
K/W
R
th j-amb
Mounted on PCB of Fig.19
-
70
K/W
d
g
s
4
1
2
3
December 1997
1
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK7840-55 TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK9214-75B TrenchMOS logic level FET
BUK9510-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 680uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x30 mm; Packaging: Bulk
BUK9514-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 680uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x40 mm; Packaging: Bulk
BUK9514-55 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 820uF; Voltage: 160V; Case Size: 25x35 mm; Packaging: Bulk
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參數(shù)描述
BUK7840-55 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7880-55 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH 55V SOT223
BUK7880-55 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7880-55,135 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK7880-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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