參數資料
型號: BUK78150-55
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: CAP,2.2uF,50VDC,10-% Tol,10+% Tol
中文描述: 5.5 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
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代理商: BUK78150-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
BUK78150-55
Fig.17. Switching test circuit.
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
January 1998
6
Rev 1.000
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PDF描述
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參數描述
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BUK78150-55A T/R 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK78150-55A,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK78150-55A,135 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube