參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9620-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 52 A, 55 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 68K
代理商： BUK9620-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9620-55
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
10
5
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.0
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
gfs/S
ID/A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
VGS/V =
ID/A
4
4.24.4
4.6
4.8
5
RDS(ON)/mOhm
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK959-60
-100
-50
0
50
100
150
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
April 1998
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK98150-55 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1200uF; Voltage: 160V; Case Size: 30x35 mm; Packaging: Bulk
BUK9830-30 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 2700uF; Voltage: 160V; Case Size: 35x50 mm; Packaging: Bulk
BUK9840-55 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 330uF; Voltage: 160V; Case Size: 20x30 mm; Packaging: Bulk
BUK9880-55 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
BUT11AF Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9620-55A 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET
BUK9620-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9620-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9620-55A/C1,118 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHABUK9620-55A/C1,118 AUTO MOSFET,55A
BUK9620-55T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 52A I(D) | SOT-404
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*