參數(shù)資料
型號(hào)： BUK98150-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1200uF; Voltage: 160V; Case Size: 30x35 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 2.6 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-73, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 68K
代理商： BUK98150-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK98150-55
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic envelope suitable for surface
mounting. The device features very
low on-state resistance and has
integral zener diodes giving ESD
protection. It is intended for use in
automotive and general purpose
switching applications.
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
55
5.5
1.8
150
150
V
A
W
C
m
V
GS
= 5 V
PINNING - SOT223
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
4
drain (tab)
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
amb
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
= 25 C
On PCB in Fig.19
T
amb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
MAX.
55
55
10
5.5
2.6
UNIT
V
V
V
A
A
I
D
Drain current (DC)
-
1.6
A
I
DM
P
tot
P
tot
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Total power dissipation
-
-
-
30
8.3
1.8
A
W
W
T
stg
, T
j
Storage & operating temperature
- 55
150
C
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
V
C
PARAMETER
Electrostatic discharge capacitor
voltage
CONDITIONS
Human body model
(100 pF, 1.5 k
)
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
d
g
s
4
1
2
3
February 1998
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK9880-55 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
BUT11AF Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
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參數(shù)描述
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