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參數(shù)資料
| 型號： | BUK9880-55 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk |
| 中文描述： | 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, SC-73, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | BUK9880-55 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9880-55
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic
level field-effect power transistor in a
plastic envelope suitable for surface
mounting. The device features very
low on-state resistance and has
integral zener diodes giving ESD
protection. It is intended for use in
automotive and general purpose
switching applications.
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
55
7.5
1.8
150
80
V
A
W
C
m
V
GS
= 5 V
PINNING - SOT223
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
4
drain (tab)
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
= 25 C
On PCB in Fig.2
T
= 25 C
On PCB in Fig.2
T
amb
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
= 25 C
On PCB in Fig.2
T
amb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
MAX.
55
55
10
7.5
3.5
UNIT
V
V
V
A
A
I
D
Drain current (DC)
-
2.2
A
I
DM
P
tot
P
tot
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Total power dissipation
-
-
-
40
8.3
1.8
A
W
W
T
stg
, T
j
Storage & operating temperature
- 55
150
C
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
V
C
PARAMETER
Electrostatic discharge capacitor
voltage
CONDITIONS
Human body model
(100 pF, 1.5 k
)
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
d
g
s
4
1
2
3
April 1998
1
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUT11AF | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUT11AF | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
| BUT11AI | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUT11AX | Silicon Diffused Power Transistor |
| BUT11F | Silicon Diffused Power Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK9880-55 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9880-55,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BUK9880-55/CUF | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 |
| BUK9880-55A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 7A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
| BUK9880-55A T/R | 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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