參數(shù)資料
型號： BUK98150-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 1200uF; Voltage: 160V; Case Size: 30x35 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 2.6 A, 55 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-73, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BUK98150-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK98150-55
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 1.9 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
; T
sp
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
15
UNIT
mJ
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
sp
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
sp
); conditions: V
GS
≥
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-sp
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
VDS/V
ID/A
1 us
10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
0.1
1
10
100
1
10
55
RDS(ON) = VDS/ID
DC
BUKX8150-55
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
1E+02
3E+01
1E+01
3E+00
1E+00
3E-01
1E-01
3E-02
1E-02
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
BUKX8150-55
February 1998
3
Rev 1.000
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PDF描述
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BUK9880-55 Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
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BUT11AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
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