參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9830-30
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 2700uF; Voltage: 160V; Case Size: 35x50 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/10頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： BUK9830-30
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9830-30
Dimensions in mm.
Fig.19. PCB for thermal resistance and power rating for SOT223.
PCB: FR4 epoxy glass (1.6 mm thick), copper laminate (35
μ
m thick).
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
December 1997
8
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BUK9832-55A,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9832-55A/CUX 功能描述:MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1594pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BUK9832-55A+115 制造商:PH 功能描述:
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