參數(shù)資料
型號： BUT11AI
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 17K
代理商： BUT11AI
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AI
GENERAL DESCRIPTION
Enhanced performance, high speed switching npn transistor in TO220AB envelope specially suited for high
frequency electronic lighting ballast applications and converters, inverters, switching regulators, motor control
systems etc.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
V
CESM
V
CEO
I
C
I
CM
P
tot
V
CEsat
I
Csat
t
f
PARAMETER
Collector-emitter voltage peak value
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current (DC)
Collector current peak value
Total power dissipation
Collector-emitter saturation voltage
Collector Saturation current
Inductive fall time
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
TYP.
-
-
-
-
-
-
2.5
0.08
MAX.
1000
450
5
10
100
1.5
UNIT
V
V
A
A
W
V
A
μ
s
T
mb
≤
25 C
I
C
B
= 0.33 A
I
Con
= 2.5 A; I
Bon
= 0.5 A
0.15
PINNING - TO220AB
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
collector
3
emitter
tab
collector
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134)
SYMBOL
PARAMETER
V
CESM
Collector-emitter voltage peak value
V
CEO
Collector-emitter voltage (open base)
I
C
Collector current (DC)
I
CM
Collector current peak value
I
B
Base current (DC)
I
BM
Base current peak value
P
tot
Total power dissipation
T
stg
Storage temperature
T
j
Junction temperature
CONDITIONS
V
BE
= 0 V
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
MAX.
1000
450
5
10
2
4
100
150
150
UNIT
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
mb
≤
25 C
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
R
th j-a
PARAMETER
Junction to mounting base
Junction to ambient
CONDITIONS
TYP.
-
-
MAX.
1.25
60
UNIT
K/W
K/W
in free air
1 2 3
tab
b
c
e
August 1997
1
Rev 1.000
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PDF描述
BUT11AX Silicon Diffused Power Transistor
BUT11F Silicon Diffused Power Transistor
BUT12XI Silicon Diffused Power Transistor
BUT12 Silicon diffused power transistors
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參數(shù)描述
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BUT11APX 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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BUT11APX-1200 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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