參數(shù)資料
型號： BUK9880-55
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Aluminum Snap-In Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 160V; Case Size: 22x30 mm; Packaging: Bulk
中文描述： 3.5 A, 55 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-73, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： BUK9880-55
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
BUK9880-55
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-sp
R
th j-amb
PARAMETER
From junction to solder point
From junction to ambient
CONDITIONS
Mounted on any PCB
Mounted on PCB of Fig.18
TYP.
12
-
MAX.
15
70
UNIT
K/W
K/W
STATIC CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 0.25 mA
MIN.
55
50
1.0
0.6
-
-
-
-
-
10
-
-
TYP.
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
-
-
65
-
MAX.
-
-
2.0
-
2.3
10
100
1
5
-
80
148
UNIT
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
m
m
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
T
j
= 150C
T
j
= -55C
I
DSS
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 150C
I
GSS
Gate source leakage current
V
GS
=
±
5 V
T
j
= 150C
±
V
(BR)GSS
R
DS(ON)
Gate source breakdown voltage I
G
=
±
1 mA
Drain-source on-state
resistance
V
GS
= 5 V; I
D
= 5 A
T
j
= 150C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
g
fs
Forward transconductance
C
iss
Input capacitance
C
oss
Output capacitance
C
rss
Feedback capacitance
t
d on
Turn-on delay time
t
r
Turn-on rise time
t
d off
Turn-off delay time
t
f
Turn-off fall time
CONDITIONS
V
DS
= 25 V; I
D
= 5 A; T
j
= 25C
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V; f = 1 MHz
MIN.
4
-
-
-
TYP.
8
500
110
60
MAX.
-
650
135
85
UNIT
S
pF
pF
pF
V
DD
= 30 V; I
D
= 7 A;
V
GS
= 5 V; R
G
= 10
;
-
-
-
-
10
30
30
30
15
50
45
40
ns
ns
ns
ns
T
j
= 25C
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= -55 to 175C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
sp
= 25C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
7.5
UNIT
A
T
sp
= 25C
I
F
= 5 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
40
1.1
-
-
A
V
ns
μ
C
0.85
38
0.2
April 1998
2
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT11AF Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
BUT11AI Silicon Diffused Power Transistor
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9880-55 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9880-55,135 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9880-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1
BUK9880-55A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 7A SOT223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
BUK9880-55A T/R 功能描述:MOSFET TAPE-7 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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