參數(shù)資料
型號： BUT11AF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： PLASTIC, SOT-186, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： BUT11AF
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AF
Fig.13. Typical base-emitter saturation voltage.
V
BEsat
= f(I
B
); parameter I
C
Fig.14. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
August 1997
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT11AF SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
BUT11AI Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AX Silicon Diffused Power Transistor
BUT11F Silicon Diffused Power Transistor
BUT12XI Silicon Diffused Power Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUT11AI 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
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