參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11AI
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 17K
代理商： BUT11AI
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AI
STATIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
CES
Collector cut-off current
1
I
CES
CONDITIONS
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
V
= 9.0 V; I
= 0 A
I
= 0 A; I
C
= 100 mA;
L = 25 mH
I
C
= 2.5 A;I
B
= 0.33 A
I
C
= 2.5 A;I
B
= 0.33 A
I
C
= 5 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 5 V
I
C
= 2.5 A; V
CE
= 5 V
MIN.
-
-
TYP.
-
-
MAX.
1.0
2.0
UNIT
mA
mA
I
EBO
V
CEOsust
Emitter cut-off current
Collector-emitter sustaining voltage
-
-
-
10.0
-
mA
V
450
V
CEsat
V
BEsat
h
FE
h
FE
h
FEsat
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current gain
-
-
-
-
1.5
1.3
35
35
17
V
V
10
14
9
20
22
13
DYNAMIC CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
Switching times resistive load
Turn-on time
t
on
CONDITIONS
I
Con
= 2.5 A; I
Bon
= 0.5 A; -I
Boff
= 0.5 A
TYP.
MAX.
UNIT
0.6
3.4
0.6
-
-
1.0
μ
s
t
s
t
f
Turn-off storage time
Turn-off fall time
4.0
0.8
μ
s
μ
s
Switching times inductive load
I
= 2.5 A; I
Bon
= 0.5 A; L
B
= 1
μ
H;
-V
BB
= 5 V
t
s
t
f
Turn-off storage time
Turn-off fall time
1.1
80
1.4
150
μ
s
ns
I
= 2.5 A; I
= 0.5 A; L
B
= 1
μ
H;
-V
BB
= 5 V; T
j
= 100 C
t
s
t
f
Turn-off storage time
Turn-off fall time
1.2
140
1.5
300
μ
s
ns
[INCLUDE]
1
Measured with half sine-wave voltage (curve tracer).
August 1997
2
Rev 1.000
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PDF描述
BUT11AX Silicon Diffused Power Transistor
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BUT11APX 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11APX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT11APX-1200 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUT11APX-1200,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT11APX-1200/SOT186A/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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