參數(shù)資料
型號(hào)： BUT11AX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor
中文描述： 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-186A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 118K
代理商： BUT11AX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT11AX
Fig.7. Normalised power derating and second
breakdown curves.
Fig.8. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
j max
Fig.9. Typical DC current gain.
h
FE
= f(I
C
); parameter V
CE
Fig.10. Forward bias safe operating area. T
hs
≤
25 C
(1)
(2)
I
II
III
P
max and P
peak max lines.
Second breakdown limits.
Region of permissible DC operation.
Extension for repetitive pulse operation.
Extension during turn-on in single
transistor converters provided that
R
≤
100
and t
≤
0.6
μ
s.
Mounted with heatsink compound and
30
±
5 newton force on the centre of the
envelope.
NB:
0
20
40
60
80
100
120
140
Ths / C
%
Normalised Derating
with heatsink compound
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Ptot
1
10
100
1000
100
10
1
0.1
0.01
tp =
10 us
100 us
1 ms
10 ms
DC
IC / A
CE
ICM max
IC max
II
I
= 0.01
III
500 ms
(1)
(2)
6
5
4
3
2
1
0
0
400
800
1200
IC / A
BUT11AX
VCE / V
0.01
0.1
1
10
100
IC / A
h
BUT11AX
100
10
1
FE
1V
5V
November 1995
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT11F Silicon Diffused Power Transistor
BUT12XI Silicon Diffused Power Transistor
BUT12 Silicon diffused power transistors
BUT12A Silicon diffused power transistors
BUT12 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
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參數(shù)描述
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BUT11F 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUT11F/11AF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Power Switching Applications
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BUT11FTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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