參數(shù)資料
型號： BUT12A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 100K
代理商： BUT12A
1997 Aug 13
4
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12; BUT12A
Fig.4 Forward bias SOAR.
T
mb
< 25
°
C.
I - Region of permissible DC operation.
II - Permissible extension for repetitive pulse operation.
(1) P
tot max
and P
tot peak max
lines.
(2) Second breakdown limits.
andbook, full pagewidth
MGB945
10
1
10
2
10
3
1000
400
10
4
VCE (V)
VCE (V)
10
10
1
10
2
10
2
10
2
10
3
IC
(A)
IC
(A)
δ
= 0.01
1 ms
2 ms
5 ms
10 ms
20 ms
DC
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
tp =
20
μ
s
50
μ
s
III
III
IV
I
II
(2)
(1)
IC max
ICM max
BUT12
BUT12A
BUT12
BUT12A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT12 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
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BUT18 Silicon diffused power transistors
BUT18A Silicon diffused power transistors
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參數(shù)描述
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