參數(shù)資料
型號： BUT12A
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： BUT12A
1997 Aug 13
5
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12; BUT12A
Fig.5 Transient thermal impedance.
handbook, full pagewidth
MGB862
10
1
10
2
tp (ms)
10
1
10
2
10
3
10
1
10
3
10
2
1
Zth j
mb
(K/W)
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0
δ
= 1
Fig.6
Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
MGE252
+
50 V
100 to 200
30 to 60 Hz
L
6 V
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
Fig.7
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
(mA)
MGE239
250
200
100
0
min
VCEOsust
VCE (V)
相關PDF資料
PDF描述
BUT12 SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
BUT18AF Silicon diffused power transistors
BUT18 Silicon diffused power transistors
BUT18A Silicon diffused power transistors
BUT211X POWERLINE: RP20-S_DF - 2:1 Wide Input Voltage Range- 20 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package- Efficiency to 89%
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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