參數(shù)資料
型號： BUT18
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 6 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： BUT18
1999 Jun 11
5
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT18; BUT18A
Fig.3 Transient thermal impedance.
handbook, full pagewidth
MGB862
10
1
10
2
tp (ms)
10
1
10
2
10
3
10
1
10
3
10
2
1
Zth j
mb
(K/W)
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0
δ
= 1
Fig.4 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
Tmb (
o
C)
100
150
0
40
80
MGD283
Ptot max
(%)
Fig.5
Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
MGE252
+
50 V
100 to 200
30 to 60 Hz
L
6 V
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT18A Silicon diffused power transistors
BUT211X POWERLINE: RP20-S_DF - 2:1 Wide Input Voltage Range- 20 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package- Efficiency to 89%
BUT211 Silicon Diffused Power Transistor
BWD0515 DUAL OUTPUT, 2.5 WATT
BWD512 DUAL OUTPUT, 2.5 WATT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUT18A 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUT18A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT18A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT18AF 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUT18AF/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR ISOLATED SOT-186
BUT18F 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*