參數(shù)資料
型號(hào)： BUT18
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 6 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 67K
代理商： BUT18
1999 Jun 11
8
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT18; BUT18A
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT78
TO-220AB
D
D1
q
P
L
1
2
3
L2
(1)
b1
e
e
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB
SOT78
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
Q
L1
UNIT
A1
b1
D1
e
P
mm
2.54
q
Q
A
b
D
c
L2
max.
(1)
3.0
3.8
3.6
15.0
13.5
3.30
2.79
3.0
2.7
2.6
2.2
0.7
0.4
15.8
15.2
0.9
0.7
1.3
1.0
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
E
L
97-06-11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUT18A Silicon diffused power transistors
BUT211X POWERLINE: RP20-S_DF - 2:1 Wide Input Voltage Range- 20 Watts Output Power- 1.6kVDC Isolation- Fixed Operating Frequency- Six-Sided Continuous Shield- International Safety Standard Approvals- Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package- Efficiency to 89%
BUT211 Silicon Diffused Power Transistor
BWD0515 DUAL OUTPUT, 2.5 WATT
BWD512 DUAL OUTPUT, 2.5 WATT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BUT18A,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT BUT18A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BUT18AF 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
BUT18AF/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR ISOLATED SOT-186
BUT18F 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
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