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參數(shù)資料
| 型號： | BUZ80 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | BUZ80 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 640 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 400 V
I
D
= 2.1 A
V
GS
= 10 V
50
110
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
170
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
42
6
17
55
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 640 V
R
G
= 50
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
95
20
120
120
25
165
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
3.4
13
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 6 A
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
2.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 3 A
V
DD
= 80 V
(see test circuit, figure 5)
700
8.8
25
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5%
(
) Pulse width limited by safe operating area
Safe Operating Areas For TO-220
Safe Operating Areas For ISOWATT220
BUZ80/FI
3/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BY223-600 | FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
| BY233-600 | Fast Recovery Rectifier Diodes(快速恢復(fù)整流二極管) |
| BY239L-800 | RECTIFIER DIODES |
| BYT 08P-1000 | Fast Recovery Rectifier Diode(快速恢復(fù)整流二極管) |
| BYT 08PI-1000 | Fast Recovery Rectifier Diode(快速恢復(fù)整流二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUZ80A | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BUZ80A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220 ((NW)) |
| BUZ80AC67078-S1309-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
| BUZ80AFI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
| BUZ80F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k) |
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