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參數(shù)資料
| 型號： | BUZ80 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | BUZ80 |
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
BUZ80/FI
5/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUZ80A | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BUZ80A | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220 ((NW)) |
| BUZ80AC67078-S1309-A3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL |
| BUZ80AFI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k) |
| BUZ80F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k) |
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