參數(shù)資料
型號： BUZ80
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： BUZ80
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
B
2.5
2.7
0.098
0.106
D
2.5
2.75
0.098
0.108
E
0.4
0.7
0.015
0.027
F
0.75
1
0.030
0.039
F1
1.15
1.7
0.045
0.067
F2
1.15
1.7
0.045
0.067
G
4.95
5.2
0.195
0.204
G1
2.4
2.7
0.094
0.106
H
10
10.4
0.393
0.409
L2
16
0.630
L3
28.6
30.6
1.126
1.204
L4
9.8
10.6
0.385
0.417
L6
15.9
16.4
0.626
0.645
L7
9
9.3
0.354
0.366
3
3.2
0.118
0.126
L2
A
B
D
E
H
G
L6
F
L3
G
1 2 3
F
F
L7
L4
ISOWATT220 MECHANICAL DATA
P011G
BUZ80/FI
9/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BY223-600 FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
BY233-600 Fast Recovery Rectifier Diodes(快速恢復(fù)整流二極管)
BY239L-800 RECTIFIER DIODES
BYT 08P-1000 Fast Recovery Rectifier Diode(快速恢復(fù)整流二極管)
BYT 08PI-1000 Fast Recovery Rectifier Diode(快速恢復(fù)整流二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUZ80A 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
BUZ80A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N TO-220 ((NW))
BUZ80AC67078-S1309-A3 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR TO 220 MOSFET N KANAL
BUZ80AFI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(197.88 k)
BUZ80F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(196.99 k)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*