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C3M0065100K

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • C3M0065100K
    C3M0065100K

    C3M0065100K

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話(huà)：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 3000

  • CREE

  • SOP

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨

  • C3M0065100K
    C3M0065100K

    C3M0065100K

  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人：吳小姐

    電話(huà)：852906044930755-82762262

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號(hào)都會(huì)軒2506

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • Wolfspeed

  • TO-247-4

  • 22+

  • -

  • 全新原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
C3M0065100K PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
  • 制造商
  • cree/wolfspeed
  • 系列
  • C3M?
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類(lèi)型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • SiCFET (Silicon Carbide)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 1000V（1kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 35A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 78 毫歐 @ 20A，15V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 3.5V @ 5mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 35nC @ 15V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 660pF @ 600V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • *
  • 封裝/外殼
  • TO-247-4
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-247-4L
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
C3M0065100K 技術(shù)參數(shù)
  • C3M0065100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):SiC（碳化硅結(jié)晶體管） 漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線(xiàn)+接片），TO-263CA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0065090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線(xiàn)+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 C3M0065090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線(xiàn)+接片），TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0065090D 功能描述:MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30.4nC @ 15V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 C3LG6-F 功能描述:DUCT COVER PROTECTIVE FILM 6' 制造商:panduit corp 系列:PANDUCT? C 型 零件狀態(tài):有效 配件類(lèi)型:外蓋 - 線(xiàn)槽，咬接式，帶保護(hù)膜 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:Panduit 線(xiàn)槽 - 開(kāi)槽式，實(shí)心式和圓孔式 - D3X，F(xiàn)3X，F(xiàn)S3X，G3X 和 S3X 型 高度:0.370"（9.40mm） 寬度:3.250"（82.55mm） 長(zhǎng)度:6.00'（1.83m） 顏色:淺灰 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 C3M0280090J-TR C3P004.30.02 C3P0206S-A C3P0212S-A C3P0304S-A C3P0406S-A C3P0604S-A C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G
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