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C3M0075120K

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • C3M0075120K
    C3M0075120K

    C3M0075120K

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 22100

  • CREE

  • TO-247-4

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原裝,實(shí)單可以支持。075...

  • C3M0075120K
    C3M0075120K

    C3M0075120K

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 3000

  • CREE

  • SOP

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
C3M0075120K PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 1200V 30.8A TO247-4
  • 制造商
  • cree/wolfspeed
  • 系列
  • C3M?
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 1200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 30.8A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 15V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 51nC @ 15V
  • Vgs(最大值)
  • +19V,-8V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 1350pF @ 1000V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 119W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 90 毫歐 @ 20A,15V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-247-4L
  • 封裝/外殼
  • TO-247-4
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
C3M0075120K 技術(shù)參數(shù)
  • C3M0075120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管) 漏源電壓(Vdss):1200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):51nC @ 15V Vgs(最大值):+19V,-8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散(最大值):113.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 20A,15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0065100K 功能描述:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiCFET (Silicon Carbide) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 20A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 C3M0065100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管) 漏源電壓(Vdss):1000V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 15V Vgs(最大值):+15V,-4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散(最大值):113.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 20A,15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3M0065090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 20A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 C3M0065090J 功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 20A,15V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 C3P0206S-A C3P0212S-A C3P0304S-A C3P0406S-A C3P0604S-A C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G
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