CSD18502Q5BT

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

CSD18502Q5BT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
29298
TI/德州儀器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原裝

CSD18502Q5BT
北京天陽誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
8850
TI
NA
23+
-
MOSFET

CSD18502Q5BT
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
Ti
(DNK)
19
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： CSD18503KCS CSD18503Q5A CSD18503Q5AT CSD18504KCS CSD18504Q5A CSD18504Q5AT CSD18509Q5B CSD18509Q5BT CSD18510KCS

CSD18502Q5BT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

CSD18502Q5BT 技術(shù)參數(shù)

CSD18502Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5070pF @ 20V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18502KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.9 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4680pF @ 20V 功率 - 最大值:259W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18501Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3840pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17585F5T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.9A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 900mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17585F5 功能描述:30V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.9A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 900mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18510KTT CSD18510KTTT CSD18510Q5B CSD18510Q5BT CSD18511KCS CSD18511KTT CSD18511KTTT CSD18511Q5A CSD18511Q5AT CSD18512Q5B CSD18512Q5BT CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18531Q5A CSD18531Q5AT CSD18532KCS