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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
321219
TI
con
24+
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

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深圳市瑞智芯科技有限公司
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聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
Ti
(DQJ)
21
-
瑞智芯只有原裝

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
321219
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24+
-
優(yōu)勢庫存，原裝正品

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深圳市德力誠信科技有限公司
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聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321219
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con
24+
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現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
321219
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con
24+
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天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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深圳市華盛錦科技有限公司
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聯(lián)系人：張先生/雷小姐
電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）
地址：華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
36890
TI
VSONP-8
21+原廠授權(quán)
-
★原廠授權(quán)★價超代理★

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深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
29267
TI/德州儀器
N/A
21+
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瑞智芯，只有原裝

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深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
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聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3492
TI
VSONP-8
2221+
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十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3490
TI/華雄半導(dǎo)體
VSONP-8
2207+
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十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
89A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2683pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
74W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
7.9 毫歐 @ 15A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
8-VSONP（5x6）
封裝/外殼
8-PowerTDFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

CSD18514Q5AT 技術(shù)參數(shù)

CSD18514Q5A 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:89A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 20V Vgs（最大值）:±20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:74W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.9 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18513Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:124A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4280pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:96W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 19A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18512Q5B 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:211A (Tc) 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7120pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:139W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSON-CLIP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18511Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:159A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:63nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:104W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 24A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（5x6）封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18511KTTT 功能描述:40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Ta），194A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:64nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5940pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:188W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 100A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KCS