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CSD18504Q5AT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CSD18504Q5AT
    CSD18504Q5AT

    CSD18504Q5AT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王

    電話：13969210552

    地址：中國(guó)上海

  • 321202

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 優(yōu)勢(shì)庫(kù)存，原裝正品

  • CSD18504Q5AT
    CSD18504Q5AT

    CSD18504Q5AT

  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13305449939

    地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 321202

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

  • CSD18504Q5AT
    CSD18504Q5AT

    CSD18504Q5AT

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30878

  • TI/德州儀器

  • VSONP-8

  • 2020+

  • -

  • 大中華區(qū)授權(quán)代理可接受訂貨

  • CSD18504Q5AT
    CSD18504Q5AT

    CSD18504Q5AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 29264

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
CSD18504Q5AT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 15A（Ta），50A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 19nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 1656pF @ 20V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 3.1W（Ta），77W（Tc）
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSON（5x6）
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD18504Q5AT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18504Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），50A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.6 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1656pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18504KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:53A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 20V 功率 - 最大值:115W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18503Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:19A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2640pF @ 20V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18503KCS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3150pF @ 20V 功率 - 最大值:188W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18502Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5070pF @ 20V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18511KTTT CSD18511Q5A CSD18511Q5AT CSD18512Q5B CSD18512Q5BT CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A CSD18514Q5AT CSD18531Q5A CSD18531Q5AT CSD18532KCS CSD18532NQ5B CSD18532NQ5BT CSD18532Q5B CSD18532Q5BT CSD18533KCS CSD18533Q5A
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