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CSD87313DMST

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD87313DMST
    CSD87313DMST

    CSD87313DMST

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 300

  • TI/德州儀器

  • QFN

  • 23+

  • -

  • 只做原裝現(xiàn)貨/實單可談

  • CSD87313DMST
    CSD87313DMST

    CSD87313DMST

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 14200

  • TI

  • QFN

  • 2022+

  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

  • CSD87313DMST
    CSD87313DMST

    CSD87313DMST

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Texas Instruments

  • MOSFET 2 N-CHANNEL 3

  • 22+

  • -

  • CSD87313DMST
    CSD87313DMST

    CSD87313DMST

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29308

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 瑞智芯， 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD87313DMST PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • 2 N 溝道（雙）共漏
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • -
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • -
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 28nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 4290pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.7W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerWDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-WSON（3.3x3.3）
  • 標準包裝
  • 1
CSD87313DMST 技術(shù)參數(shù)
  • CSD87312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 7A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標準包裝:1 CSD86360Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2060pF @ 12.5 功率 - 最大值:13W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標準包裝:1 CSD86350Q5DEVM-604 功能描述:CSD86350Q NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):有效 主要用途:DC/DC，步降 輸出和類型:1，非隔離 功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:25A 電壓 - 輸入:8 V ~ 13 V 穩(wěn)壓器拓撲:降壓 頻率 - 開關(guān):290kHz 板類型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:CSD86350Q 標準包裝:1 CSD86350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 12.5V 功率 - 最大值:13W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標準包裝:1 CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6） 標準包裝:1 CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET
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