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參數(shù)資料
型號： CAT5261YI-00-T2
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC POT DIG 100K 256T SPI 24TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,000
系列： DPP
接片： 256
電阻（歐姆）： 100k
電路數(shù)： 2
溫度系數(shù)： 標(biāo)準(zhǔn)值 300 ppm/°C
存儲器類型： 非易失
接口： 6 線 SPI（芯片選擇，設(shè)備位址）
電源電壓： 2.5 V ~ 6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 24-TSSOP
包裝： 帶卷 (TR)
CAT5261
http://onsemi.com
7
Table 11. RELIABILITY CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Reference Test Method
Min
Max
Units
NEND (Note 11)
Endurance
MILSTD883, Test Method 1033
1,000,000
Cycles/Byte
TDR (Note 11)
Data Retention
MILSTD883, Test Method 1008
100
Years
VZAP (Note 11)
ESD Susceptibility
MILSTD883, Test Method 3015
2000
V
ILTH (Note 11)
Latch-up
JEDEC Standard 17
100
mA
9. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
10.tPUR and tPUW are delays required from the time VCC is stable until the specified operation can be initiated.
11. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
VALID IN
HIZ
SCK
SI
SO
Figure 2. Synchronous Data Timing
tCS
tCSH
tDIS
tHO
tV
tRI
tFI
tWL
tWH
tH
tSU
tCSS
VOH
VOL
VIH
VIL
VIH
VIL
CS
VIH
VIL
NOTE: Dashed Line = mode (1, 1)
Figure 3. HOLD Timing
SCK
SO
HIGH IMPEDANCE
tCD
tHD
tLZ
tHZ
tHD
tCD
CS
HOLD
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PDF描述
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