參數(shù)資料
型號(hào)： CFY25
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAs FET (Low noise High gain For front-end amplifiers lon-implanted planar structure All gold metallization)
中文描述： 砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（低噪聲高增益對(duì)于前端放大器離子注入平面結(jié)構(gòu)全部鍍金）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 2088K
代理商： CFY25
CFY25
Semiconductor Group
2 of 8
Draft D, Sep. 0000
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Drain-source voltage
V
DS
5
V
Drain-gate voltage
V
DG
7
V
Gate-source voltage (reverse / forward)
V
GS
- 5... + 0.5
V
Drain current
I
D
80
mA
Gate forward current
I
G
1.5
mA
RF Input Power, C- and X-Band
1)
P
RF,in
+ 17
dBm
Junction temperature
T
J
175
°
C
Storage temperature range
T
stg
- 65... + 175
°
C
Total power dissipation
2)
P
tot
250
mW
Soldering temperature
3)
T
sol
230
°C
Thermal Resistance
Junction-soldering point
R
th JS
≤
410
K/W
Notes.:
1) For V
DS
≤
3 V. For V
DS
> 3 V, derating is required.
2) At T
S
= + 72.5 °C. For T
S
> + 72.5 °C derating is required.
3) During 15 sec. maximum. The same terminal shall not be resoldered until 3 minutes have
elapsed.
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PDF描述
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CFY67-06 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
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參數(shù)描述
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CFY25-20P 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel X-Band GaAs Low Noise / General Purpose MESFET
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