參數資料
型號： CFY27-P
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel Ku-Band GaAs General Purpose MESFET
中文描述： 伊雷爾Ku波段砷化鎵通用場效應晶體管
文件頁數： 5/8頁
文件大?。?/td> 572K
代理商： CFY27-P
CFY27
S emiconductor Group
5 of 9
Draft D, S eptember 99
Typical Common Source S-Parameters CFY27
V
DS
= 3 V, I
D
= 120 mA, Z
o
= 50
<S 21
|S 12|
[angle]
[magn]
153
0,0203
148
0,0245
143
0,0280
138
0,0311
135
0,0333
130
0,0357
126
0,0383
122
0,0407
119
0,0419
115
0,0435
112
0,0448
109
0,0461
106
0,0475
103
0,0486
100
0,0494
97
0,0502
94
0,0508
92
0,0513
89
0,0519
87
0,0524
84
0,0528
82
0,0532
80
0,0537
78
0,0540
76
0,0543
74
0,0545
72
0,0547
70
0,0550
68
0,0554
66
0,0556
64
0,0559
54
0,0574
46
0,0594
38
0,0620
30
0,0644
22
0,0676
15
0,0709
8
0,0751
0
0,0801
-8
0,0849
-16
0,0891
-23
0,0937
-31
0,0981
-39
0,1022
-47
0,1057
-55
0,1083
-62
0,1106
-70
0,1126
-78
0,1138
-86
0,1144
-94
0,1137
-102
0,1128
-110
0,1110
-119
0,1084
-127
0,1047
-137
0,0997
-147
0,0943
-157
0,0892
-166
0,0845
-176
0,0805
f
|S 11|
[magn]
0,936
0,921
0,904
0,890
0,876
0,864
0,854
0,846
0,837
0,830
0,823
0,816
0,810
0,804
0,799
0,795
0,791
0,788
0,784
0,781
0,779
0,776
0,773
0,771
0,769
0,767
0,765
0,764
0,763
0,762
0,761
0,758
0,757
0,759
0,761
0,763
0,764
0,766
0,768
0,771
0,775
0,780
0,787
0,794
0,802
0,810
0,816
0,823
0,829
0,835
0,841
0,846
0,851
0,857
0,863
0,869
0,874
0,881
0,887
0,895
<S 11
[angle]
-43
-50
-55
-62
-68
-74
-80
-86
-91
-96
-101
-106
-110
-114
-118
-122
-126
-130
-133
-136
-139
-142
-145
-148
-150
-153
-155
-157
-160
-162
-164
-174
177
169
161
154
147
140
133
126
119
111
104
97
90
83
77
70
63
56
49
41
34
27
20
12
5
-1
-7
-12
|S 21|
[magn]
8,720
8,470
8,200
7,943
7,698
7,449
7,198
6,948
6,702
6,465
6,240
5,990
5,805
5,603
5,410
5,225
5,030
4,877
4,718
4,569
4,429
4,296
4,170
4,047
3,936
3,829
3,729
3,633
3,539
3,450
3,367
3,014
2,713
2,513
2,310
2,133
1,983
1,856
1,747
1,649
1,561
1,478
1,401
1,329
1,262
1,198
1,138
1,081
1,026
0,974
0,925
0,881
0,839
0,793
0,748
0,702
0,652
0,602
0,555
0,514
<S 12
[angle]
68
65
61
57
54
51
49
46
44
43
41
39
38
36
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
25
24
24
23
23
22
22
21
20
20
19
18
17
15
14
11
8
5
2
-2
-7
-11
-16
-20
-26
-31
-37
-42
-48
-54
-60
-67
-73
-78
-83
-87
|S 22|
[magn]
0,149
0,151
0,153
0,156
0,161
0,164
0,169
0,173
0,179
0,186
0,190
0,194
0,199
0,203
0,208
0,212
0,216
0,219
0,222
0,225
0,227
0,229
0,232
0,235
0,237
0,240
0,242
0,244
0,246
0,249
0,251
0,266
0,283
0,300
0,316
0,332
0,349
0,366
0,381
0,398
0,414
0,431
0,450
0,469
0,488
0,505
0,525
0,547
0,566
0,584
0,601
0,616
0,631
0,648
0,666
0,688
0,713
0,741
0,772
0,805
<S 22
[angle]
-55
-64
-72
-81
-87
-94
-100
-105
-110
-114
-118
-122
-125
-128
-131
-134
-137
-139
-142
-144
-147
-149
-150
-152
-154
-155
-157
-159
-160
-162
-164
-171
-178
177
171
166
160
154
149
142
137
131
125
119
112
106
99
93
86
80
73
67
59
52
44
36
27
20
13
6
k-Fact.
[magn]
0,33
0,35
0,38
0,41
0,43
0,46
0,47
0,48
0,51
0,52
0,54
0,57
0,58
0,61
0,63
0,65
0,68
0,70
0,73
0,75
0,78
0,80
0,83
0,85
0,88
0,91
0,93
0,96
0,98
1,01
1,03
1,13
1,21
1,25
1,30
1,32
1,35
1,35
1,33
1,32
1,30
1,28
1,24
1,21
1,18
1,16
1,14
1,13
1,11
1,10
1,10
1,10
1,11
1,12
1,13
1,14
1,17
1,16
1,12
1,04
S
21
/S
12
[dB]
26,3
25,4
24,7
24,1
23,6
23,2
22,7
22,3
22,0
21,7
21,4
21,1
20,9
20,6
20,4
20,2
20,0
19,8
19,6
19,4
19,2
19,1
18,9
18,7
18,6
18,5
18,3
18,2
18,1
17,9
17,8
17,2
16,6
16,1
15,5
15,0
14,5
13,9
13,4
12,9
12,4
12,0
11,5
11,1
10,8
10,4
10,1
9,8
9,5
9,3
9,1
8,9
8,8
8,6
8,5
8,5
8,4
8,3
8,2
8,1
MAG
[dB]
[GHz]
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
3,1
3,2
3,3
3,4
3,5
4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
10,0
10,5
11,0
11,5
12,0
12,5
13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
17,0
17,5
18,0
17,5
16,8
15,0
13,8
13,1
12,3
11,6
10,9
10,4
9,9
9,5
9,1
8,8
8,6
8,4
8,2
8,0
7,8
7,7
7,5
7,4
7,2
7,0
6,8
6,6
6,4
6,2
5,9
5,9
6,1
6,9
相關PDF資料
PDF描述
CFY27 HiRel Ku-Band GaAs General Purpose MESFET
CFY30 GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)
CFY66-08 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY66-08P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY66-10 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
相關代理商/技術參數
參數描述
CFY30 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)
CFY35 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)
CFY35-20 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)
CFY35-23 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)
CFY35-23E6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:X BAND, GaAs, P-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET 制造商:Siemens 功能描述:X BAND, GaAs, P-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*