參數(shù)資料
型號(hào)： CFY27
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： HiRel Ku-Band GaAs General Purpose MESFET
中文描述： 伊雷爾Ku波段砷化鎵通用場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 572K
代理商： CFY27
CFY27
S emiconductor Group
6 of 9
Draft D, S eptember 99
Typical Common Source S-Parameters
CFY25-20
(continued)
V
DS
= 5 V, I
D
= 120 mA, Z
o
= 50
<S 21
|S 12|
[ang]
[mag]
149
0,0152
146
0,0183
141
0,0207
138
0,0231
134
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130
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126
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122
0,0304
118
0,0315
114
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111
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108
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104
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101
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98
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95
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93
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90
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87
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85
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80
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78
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75
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73
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71
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69
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67
0,0398
65
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10
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1
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-7
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-64
0,1270
-72
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-89
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-122
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-131
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-140
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-150
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-159
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-178
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173
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f
|S 11|
[mag]
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0,773
0,772
0,773
0,774
0,777
0,779
0,781
0,784
0,787
0,791
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<S 11
[ang]
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-61
-67
-73
-79
-85
-90
-96
-100
-105
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-149
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-154
-156
-159
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-163
-173
177
169
161
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90
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76
69
62
55
48
40
33
25
18
11
4
-3
-8
-15
|S 21|
[mag]
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<S 12
[ang]
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63
61
58
55
52
50
48
45
43
42
40
39
38
37
35
34
34
33
32
32
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31
31
31
31
30
30
30
30
30
32
34
37
38
39
39
37
35
32
28
24
19
15
9
4
-2
-8
-14
-21
-27
-33
-40
-47
-53
-60
-66
-72
-80
-86
|S 22|
[mag]
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0,263
0,263
0,263
0,263
0,264
0,265
0,266
0,266
0,267
0,269
0,270
0,272
0,273
0,274
0,285
0,301
0,321
0,343
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0,648
0,670
0,688
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0,739
0,752
0,772
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0,834
0,858
<S 22
[ang]
-27
-30
-34
-37
-41
-45
-49
-52
-55
-59
-62
-64
-67
-70
-73
-76
-79
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-84
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-88
-90
-92
-94
-96
-98
-100
-102
-104
-106
-108
-116
-125
-134
-143
-151
-159
-166
-174
179
171
163
154
145
136
127
119
111
103
96
88
80
72
64
55
46
37
30
21
13
k-Fact.
[mag]
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0,40
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0,48
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0,51
0,53
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1,04
1,07
1,09
1,12
1,14
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1,27
1,29
1,27
1,24
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1,09
1,04
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0,72
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0,60
0,60
0,60
0,61
0,63
0,64
0,66
0,67
0,62
0,60
S
21
/S
12
[dB]
27,9
26,9
26,2
25,6
25,0
24,6
24,2
23,8
23,5
23,2
22,9
22,7
22,4
22,2
22,0
21,8
21,6
21,4
21,2
21,0
20,9
20,7
20,6
20,4
20,2
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12,9
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11,1
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10,1
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8,3
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7,7
7,4
7,3
7,1
6,9
6,7
6,6
6,5
6,3
MAG
[dB]
[GHz]
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
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1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
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2,6
2,7
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3,0
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4,0
4,5
5,0
5,5
6,0
6,5
7,0
7,5
8,0
8,5
9,0
9,5
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10,5
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13,0
13,5
14,0
14,5
15,0
15,5
16,0
16,5
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17,5
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18,4
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17,0
15,8
14,9
14,1
13,5
12,9
12,6
12,5
12,3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CFY30 GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)
CFY66-08 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY66-08P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY66-10 HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
CFY66-10P HiRel K-Band GaAs Super Low Noise HEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CFY27-38 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel Ku-Band GaAs General Purpose MESFET
CFY27-P 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel Ku-Band GaAs General Purpose MESFET
CFY30 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (Low noise Fmin = 1.4 dB @ 4 GHz High gain 11.5 dB typ. @ 4 GHz)
CFY35 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)
CFY35-20 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)
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