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- 鉭電容系列 AVX NEC 基美 1UF 20V A
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):1UF 20V A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： avx鉭電容基美鉭電容 nec鉭電容
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢價(jià)
- MCH3302/超高速開(kāi)關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-323/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):MCH3302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 2SK3408/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 43V 1A SOT-23/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK3408 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)
- CPH3413/超高速開(kāi)關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3413 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:2.2A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 2SJ559/高速開(kāi)關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-523/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SJ559 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 2SJ316/高速開(kāi)關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-89/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SJ316 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:-1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 2SJ202/開(kāi)關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-323/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SJ202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-16V | 應(yīng)用范圍:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 2SJ166/高速開(kāi)關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SJ166 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-50V | 應(yīng)用范圍:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 鉭電容 vishay AVX NEC 進(jìn)口系列 TEESVV1A107M12R
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):TEESVV1A107M12R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： avx鉭電容 nec鉭電容 vishay鉭電容
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.20
- 詢價(jià)
- IRFD110PBF 100V 1A N溝道 MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 HVMDIP直插塑封
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFD110PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：塑封場(chǎng)效應(yīng)管 mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- 詢價(jià)
- 功率開(kāi)關(guān)電路用MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管1N60/IN60 TO-92封裝1A/600V可編帶
  
  品牌:WG | 型號(hào):1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 1n60場(chǎng)效應(yīng)管
- 500-1999 個(gè)
  
  ￥0.28
- 2000-4999 個(gè)
  
  ￥0.25
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.24
- 詢價(jià)