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- IRFP460 場(chǎng)效應(yīng)管N溝道 500V.20A TO-247封裝
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfp460場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥4.65
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- FQPF20N60C 20N60C 20A 600V TO-220F MOS場(chǎng)效應(yīng)管塑封
  
  應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF20N60C | 材料:IC | 封裝形式:220F
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 20n60場(chǎng)效應(yīng)管 mos場(chǎng)效應(yīng)管塑封場(chǎng)效應(yīng)管
- 詢價(jià)
- IRLML6302/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET -20V -0.78A SOT-23/高速開關(guān)/IR
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRLML6302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
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- CPH6303/P溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/-20V，-4A/開關(guān)/SOT-163/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH6303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-4A | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.60
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- TN0205A/開關(guān) 驅(qū)動(dòng)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOS/SOT-323/SILICONIX
  
  品牌:SILICON | 型號(hào):TN0205A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.25A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
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- CPH3410/N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 20V 2.5A SOT-23/超高速開關(guān)/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
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- 2SJ647/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT-323/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SJ647 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-0.4A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
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- 2SJ625/P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET -20V -3A SOT-23/開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SJ625 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管 p場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
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- N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 IRFP460PBF IRFP460 20A/500V/0.27歐/280 TO-247
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP460PBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:如圖 | 應(yīng)用范圍:功率
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 irfp460場(chǎng)效應(yīng)管
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- BSC072N03LDG/雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管功率MOS 30V 20A TDSON-8/英飛凌
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):BSC072N03LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個(gè) N 溝道（雙） | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：英飛凌mos管 mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥1.80
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- 20N50 場(chǎng)效應(yīng)管大電流20A 500V MOS管 TO-3P 封裝
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):20N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):1 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場(chǎng)效應(yīng)管大電流mos管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥6.00
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